説明
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単結晶シリコン ウエハーは、集積回路、トランジスタ、ダイオードなどの電子部品を製造するために、半導体産業でも広く使用されています。
半導体用の単結晶シリコンウェーハの製造には、太陽電池と同様のプロセスが使用されます。 シリコンをチョクラルスキー法で精製し、高温環境下で種結晶から単結晶を育成します。 ただし、結果として得られるウェーハははるかに薄く、通常は 100 ~ 200 マイクロメートルの厚さです。
仕様
| 1 | 結晶構造 | - | 単結晶 |
| 2 | 成長方法 | - | シズ |
| 3 | 転位密度 | oms/cm*3で | 許容またはなし |
| 4 | 直径 | んん | 顧客基準 |
| 5 | コンダクタンスタイプ | - | P/N |
| 6 | 結晶方位 | - | 111/100/110 |
| 7 | 抵抗率 | Ω.cm | 0.001-1000 |
| 8 | ドーパント | - | B/P/As/Sb |
| 9 | 結晶径範囲 | んん | 100-360 |
| 14 | 表面金属 | oms/cm*2で | <=5E10 |
| 15 | ノッチ | - | SEMIスタンダード |
| 16 | ノッチ深さ | んん | 1.0 プラス 0.25/-0.00 |
| 20 | 一生 | 私たち | 顧客基準 |
| 21 | 長さ | んん | >=100ミリ |
| 22 | MOQ(>=200kg) | kg | 380kg/炉 |


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