単結晶シリコンウェーハ 片面研磨

単結晶シリコンウェーハは、単一のシリコン結晶から作られ、太陽電池、集積回路、センサーなどの電子デバイスの製造における基板として使用されます。

単結晶シリコンウェーハを製造するには、種結晶を溶融シリコンの容器に入れ、容器を回転させながら温度をゆっくりと下げ、種結晶の周りでシリコンを固化させます。 得られたインゴットは、精密鋸を使用して薄いウェーハにスライスされます。

単結晶シリコン ウェーハは、多結晶またはアモルファス シリコン ウェーハよりも規則正しい結晶構造を持ち、欠陥が少ないため、電子産業では非常に好まれています。 これにより、電気的性能が向上し、最終デバイスの効率が向上します。 しかし、単結晶シリコンウェーハの生産は、他のタイプのシリコンウェーハよりも高価であり、より多くのエネルギーを必要とします。

一連のデバッグ グレードの研磨シリコン ウェーハ、ダミー ウェーハ、ダミー ウェーハとしても知られているを提供します。 デバッググレードのシリコンウェーハは、主に半導体装置やプロセスのデバッグに使用され、特定のプロセス要件を満たすために使用されます。
100mm、150mm、200mm、300mm、450mm、その他の製品グレードのシリコンウェーハを提供しています。 モデル、抵抗率、結晶方位、厚さなどは、お客様の要件に応じてカスタマイズできます。