先端セラミック材料炭化ケイ素

炭化ケイ素 (SiC) は、機械的、電気的、熱的特性の優れた組み合わせにより、先進的なセラミック材料として広く認識されています。

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説明

SiC セラミックは、さまざまな用途において従来のセラミック、金属、ポリマーに比べて独自の利点を提供する人工材料です。
先進のセラミック材料炭化ケイ素。SiC セラミックは融点が高く、熱安定性に優れているため、高温環境での使用が可能です。熱膨張係数が低いため、温度変動による寸法変化が最小限になります。これらの特性により、SiC セラミックは急速な加熱と冷却のサイクルや極端な温度にさらされる用途に適しています。

仕様

財産	価値
化学式	SiC
結晶構造	六角
密度	3.21 g/cm3
融点	2,730 度 (4,946 度 F)
硬度（モース硬度）	9.5
熱伝導率	120-200 W/m·K
電気抵抗率	10⁵-10⁷ Ω·m
熱膨張係数 (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻⁶/度
最高使用温度	1,600-2,800 度 (2,912-5,072 度 F)
ヤング率	370-700 GPa
ポアソン比	0.16-0.22
誘電率	9.7-10.7
バンドギャップエネルギー	2.2-3.3 eV

Advanced Ceramic Material Silicon Carbide

先進的なセラミック材料炭化ケイ素。SiC セラミックは、高温性能に加えて、高い硬度、強度、剛性などの優れた機械的特性を示します。 SiC セラミックは高い機械的応力に耐えることができるため、航空宇宙、自動車、防衛などの業界の構造部品に最適です。

SiC の高度なセラミックの性質により、優れた耐薬品性、電気絶縁性、低摩擦特性も提供されます。これらの特性により、SiC セラミックは化学処理、半導体製造、トライボロジーシステムの用途に適しています。

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