説明
説明
SiC ベースのデバイスは、従来のシリコンベースのデバイスと比較して優れたパフォーマンスを提供するため、高周波および高出力の電子システムに最適です。
高速エレクトロニクス 炭化ケイ素。SiC の広いバンドギャップと高い電子飽和速度により、高電界および高周波数での効率的な電子輸送が可能になります。 この特性により、SiC ベースのデバイスはより高いスイッチング周波数で動作できるようになり、より高速なスイッチング速度が可能になり、電力損失が削減されます。
仕様
| 財産 | 価値 |
|---|---|
| 比熱容量 | 0.71 J/g·K |
| 電気伝導性 | 半導体 |
| 破壊電界強度 | 2-4 MV/cm |
| 絶縁耐力 | 10-20 MV/分 |
| 屈折率 | 2.55 (波長 633 nm の場合) |
| 耐熱衝撃性 | 素晴らしい |
| 耐酸化性 | 高温でも優れています |
| 耐食性 | ほとんどの化学物質や酸に対する耐性 |
| 耐放射線性 | 素晴らしい |
| 生体適合性 | 一般に生体適合性があり、生物医学用途で使用されます |
| アプリケーション | エレクトロニクス、自動車、航空宇宙、切削工具、研磨材、耐火物、半導体デバイス |
SiC デバイスは、より高い電力密度とより高い動作周波数を実現できるため、無線通信システム、レーダー システム、高速データ伝送などのアプリケーションに最適です。
高速エレクトロニクス 炭化ケイ素。SiC ベースのエレクトロニクスの高速機能は、その低い寄生容量と低いオン抵抗によってさらに強化され、その結果、信号の歪みが減少し、システム効率が向上します。 高温条件下でも電気的性能を維持できる SiC の能力も、高速エレクトロニクスへの適合性に貢献します。
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