高温安定性炭化ケイ素

炭化ケイ素 (SiC) は、優れた高温安定性で知られる化合物半導体材料です。

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説明

優れた熱的および機械的特性を示し、シリコンなどの従来の材料では温度要件に耐えられない極限環境での用途に適しています。
炭化ケイ素の高温安定性は、その独特の結晶構造と、ケイ素と炭素原子間の強力な共有結合によって生じます。高温安定性炭化ケイ素。 SiC は融点が高く (約 2700 度)、高温でも構造の完全性を維持します。この特性により、パワーエレクトロニクス、航空宇宙、自動車、産業プロセスなどの高温用途での使用が可能になります。

仕様

学年	化学組成パーセント
	SiC	F.C	Fe2O3
	以上	以下
SiC98	98	0.30	0.80
SiC97	97	0.30	1.00
SiC95	95	0.40	1.00
SiC90	90	0.60	1.20
SiC88	88	2.5	3.5

High Temperature Stability Silicon Carbide

高温安定性炭化ケイ素。SiC の熱伝導率もシリコンよりも大幅に高いため、放熱に最適です。この特性により、SiC ベースのデバイスは熱の問題を引き起こすことなく、より高い電力密度で動作できるようになり、システム全体の効率と信頼性が向上します。

SiC の高温安定性と低い熱膨張係数の組み合わせにより、熱応力による故障のリスクが軽減されます。この特性は、急速な加熱と冷却のサイクル、または広い温度範囲にさらされるアプリケーションでは非常に重要です。

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