高抵抗の単結晶シリコンウェーハ

高抵抗の単結晶シリコンウェーハ

直径: 通常、単結晶シリコン ウェーハの直径は 100 mm から 300 mm の範囲です。

説明

 

説明

単結晶シリコンは高純度の半導体材料であり、その優れた電気的・光学的特性から電子デバイス製造や太陽電池などの分野で広く使用されています。 以下は、単結晶シリコンの基本的な知識です。

 

基本構造: 単結晶シリコンは、完全な結晶構造と高度に秩序化された原子配列を備えた、高純度のシリコン原料でできています。 その結晶構造はダイヤモンド形で、各シリコン原子は隣接する 4 つのシリコン原子に囲まれ、タイトな格子構造を形成しています。

 

製造方法: 単結晶シリコンの製造には複数のステップが必要ですが、その中で最も重要なのは結晶成長です。 現在最も一般的に用いられている方法はチョクラルスキー法で、溶融シリコンに少量のドーパントを加え、結晶棒を引き上げて単結晶シリコンを育成します。

仕様

材料

ケイ素

直径

150mm

ドーパント

ボロン

オリエンテーション

100

厚さ

675±25um

抵抗率

>8000オーム・cm

水面

磨かれた

裏面

磨かれた

弓・ワープ

<40um

TTV

<10um

 

Monocrystalline Silicon Wafers With High Resistivity

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